复旦大学在集成电路领域取得了关键突破。由周鹏和刘春森团队研制的“破晓”皮秒闪存器件，擦写速度达到400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作，成为目前人类掌握的最快半导体电荷存储器件。相关研究成果于北京时间4月16日发表在国际期刊《自然》上。

电荷存储器是信息技术发展的基础。个人电脑中的“内存”和“硬盘”是两种典型的电荷存储器。“内存”，包括静态随机存储器SRAM和动态随机存储器DRAM，在断电后会丢失数据，这种易失性限制了其在低功耗条件下的应用。而“硬盘”，以闪存为代表的非易失性存储器，在断电后不会丢失数据，但由于其编程速度远低于晶体管开关速度，难以满足需要高速存取大量数据的场合，例如AI计算等场景。

针对AI计算所需的算力与能效要求，存储技术亟需突破。研究团队通过解决集成电路领域的基础科学问题，即超越信息的非易失存取速度极限，实现了这一目标。他们发现了一种电荷存储的“超注入”机制，重新定义了现有存储技术边界，并成功研制出“破晓”皮秒闪存器件，其性能超越同技术节点下世界最快的易失性存储SRAM技术。目前，相关产品正在尝试小规模量产。